প্রাকৃতিক ময়সানাইটের বিরলতার কারণে, বেশিরভাগ সিলিকন কার্বাইড সিন্থেটিক।এটি একটি ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম, এবং অতি সম্প্রতি রত্ন মানের একটি অর্ধপরিবাহী এবং হীরা সিমুল্যান্ট হিসাবে ব্যবহৃত হয়।সবচেয়ে সহজ উৎপাদন প্রক্রিয়া হল 1,600 °C (2,910 °F) এবং 2,500 °C (4,530 °F) এর মধ্যে উচ্চ তাপমাত্রায় একটি Acheson গ্রাফাইট বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের চুল্লিতে সিলিকা বালি এবং কার্বনকে একত্রিত করা।জৈব উপাদান থেকে অতিরিক্ত কার্বনে উত্তপ্ত করে উদ্ভিদ উপাদানের সূক্ষ্ম SiO2 কণা (যেমন ধানের তুষ) SiC-তে রূপান্তরিত হতে পারে।সিলিকা ফিউম, যা সিলিকন ধাতু এবং ফেরোসিলিকন অ্যালয় তৈরির একটি উপজাত, এছাড়াও 1,500 °C (2,730 °ফা) তাপমাত্রায় গ্রাফাইট দিয়ে গরম করে SiC-তে রূপান্তরিত করা যেতে পারে।
F12-F1200, P12-P2500
0-1 মিমি, 1-3 মিমি, 6/10, 10/18, 200মেশ, 325মেশ
অন্যান্য বিশেষ স্পেসিফিকেশন অনুরোধে সরবরাহ করা যেতে পারে.
কঙ্কর | Sic | এফসি | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
F100-F150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
F230-F400 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
F500-F800 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
F1000-F1200 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
P12-P90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
P100-P150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
P230-P500 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
P600-P1500 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
P2000-P2500 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
গ্রিটস | বাল্ক ঘনত্ব (g/cm3) | উচ্চ ঘনত্ব (g/cm3) | গ্রিটস | বাল্ক ঘনত্ব (g/cm3) | উচ্চ ঘনত্ব (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F100 | 1.36~1.45 | ≥1.45 |
F30 ~ F40 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1.43 |
F46 ~ F54 | ১.৪৩~১.৫১ | ≥1.51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1.41 |
F60 ~ F70 | 1.40~1.48 | ≥1.48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
F80 | 1.38~1.46 | ≥1.46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
F90 | 1.38~1.45 | ≥1.45 |
যদি আপনার কোন প্রশ্ন থাকে। অনুগ্রহ করে নির্দ্বিধায় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।