প্রাকৃতিক ময়েসানাইটের দুষ্প্রাপ্যতার কারণে, বেশিরভাগ সিলিকন কার্বাইড কৃত্রিমভাবে তৈরি করা হয়। এটি ঘষার কাজে ব্যবহৃত হয় এবং ইদানীং অর্ধপরিবাহী ও রত্ন-গুণমানের হীরার অনুকারক হিসেবে ব্যবহৃত হচ্ছে। এর সবচেয়ে সহজ উৎপাদন প্রক্রিয়া হলো একটি অ্যাচিসন গ্রাফাইট বৈদ্যুতিক রোধ চুল্লিতে উচ্চ তাপমাত্রায়, ১,৬০০ °C (২,৯১০ °F) থেকে ২,৫০০ °C (৪,৫৩০ °F)-এর মধ্যে, সিলিকা বালি এবং কার্বনকে একত্রিত করা। উদ্ভিজ্জ উপাদানে (যেমন ধানের তুষ) থাকা সূক্ষ্ম SiO2 কণাগুলোকে জৈব পদার্থ থেকে প্রাপ্ত অতিরিক্ত কার্বনের সাথে উত্তপ্ত করে SiC-তে রূপান্তরিত করা যায়। সিলিকন ধাতু এবং ফেরোসিলিকন সংকর ধাতু উৎপাদনের উপজাত হিসেবে প্রাপ্ত সিলিকা ফিউমকেও গ্রাফাইটের সাথে ১,৫০০ °C (২,৭৩০ °F) তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করে SiC-তে রূপান্তরিত করা যায়।
F12-F1200, P12-P2500
০-১ মিমি, ১-৩ মিমি, ৬/১০, ১০/১৮, ২০০মেশ, ৩২৫মেশ
অনুরোধ সাপেক্ষে অন্যান্য বিশেষ বিবরণ সরবরাহ করা যেতে পারে।
| দৃঢ়তা | সিক | এফসি | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥৯৮.৫০ | <০.২০ | ≤০.৬০ |
| F100-F150 | ≥৯৮.০০ | <০.৩০ | ≤০.৮০ |
| F180-F220 | ≥৯৭.০০ | <০.৩০ | ≤১.২০ |
| F230-F400 | ≥৯৬.০০ | <০.৪০ | ≤১.২০ |
| F500-F800 | ≥৯৫.০০ | <০.৪০ | ≤১.২০ |
| F1000-F1200 | ≥৯৩.০০ | <০.৫০ | ≤১.২০ |
| পি১২-পি৯০ | ≥৯৮.৫০ | <০.২০ | ≤০.৬০ |
| পি১০০-পি১৫০ | ≥৯৮.০০ | <০.৩০ | ≤০.৮০ |
| পি১৮০-পি২২০ | ≥৯৭.০০ | <০.৩০ | ≤১.২০ |
| পি২৩০-পি৫০০ | ≥৯৬.০০ | <০.৪০ | ≤১.২০ |
| পি৬০০-পি১৫০০ | ≥৯৫.০০ | <০.৪০ | ≤১.২০ |
| পি২০০০-পি২৫০০ | ≥৯৩.০০ | <০.৫০ | ≤১.২০ |
| গ্রিটস | স্থূল ঘনত্ব (গ্রাম/ঘনসেমি) | উচ্চ ঘনত্ব (গ্রাম/ঘনসেমি) | গ্রিটস | স্থূল ঘনত্ব (গ্রাম/ঘনসেমি) | উচ্চ ঘনত্ব (গ্রাম/ঘনসেমি) |
| এফ১৬ ~ এফ২৪ | ১.৪২~১.৫০ | ≥১.৫০ | F100 | ১.৩৬~১.৪৫ | ≥১.৪৫ |
| F30 ~ F40 | ১.৪২~১.৫০ | ≥১.৫০ | F120 | ১.৩৪~১.৪৩ | ≥১.৪৩ |
| এফ৪৬ ~ এফ৫৪ | ১.৪৩~১.৫১ | ≥১.৫১ | F150 | ১.৩২~১.৪১ | ≥১.৪১ |
| F60 ~ F70 | ১.৪০~১.৪৮ | ≥১.৪৮ | F180 | ১.৩১~১.৪০ | ≥১.৪০ |
| এফ৮০ | ১.৩৮~১.৪৬ | ≥১.৪৬ | এফ২২০ | ১.৩১~১.৪০ | ≥১.৪০ |
| F90 | ১.৩৮~১.৪৫ | ≥১.৪৫ |
আপনার কোনো প্রশ্ন থাকলে, নির্দ্বিধায় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।